图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BS170RLRA 

产品描述

MOSFET 60V 500mA N-Channel

内部编号

277-BS170RLRA

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:0
最小起订量:1
美国费城
当天发货,5-8个工作日送达.
立即询价

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

BS170RLRA产品详细规格

规格书 BS170RLRA datasheet 规格书
BS170
文档 Multiple Devices 11/Feb/2009
产品更改通知 Product Obsolescence 11/Feb/2009
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 500mA
Rds(最大)@ ID,VGS 5 Ohm @ 200mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 3V @ 1mA
栅极电荷(Qg)@ VGS -
输入电容(Ciss)@ Vds的 60pF @ 10V
功率 - 最大 350mW
安装类型 Through Hole
包/盒 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 形式ed Leads
供应商器件封装 TO-92-3
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
最大门源电压 ±20
最大漏源电压 60
最高工作温度 150
通道模式 Enhancement
标准包装名称 TO-92
最低工作温度 -55
渠道类型 N
封装 Tape and Reel
最大漏源电阻 5000@10V
每个芯片的元件数 1
供应商封装形式 TO-92
最大功率耗散 350
最大连续漏极电流 0.5
引脚数 3
铅形状 Formed
FET特点 Standard
安装类型 Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 500mA (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 3V @ 1mA
封装/外壳 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商设备封装 TO-92-3
其他名称 BS170RLRAOSTR
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 5 Ohm @ 200mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 350mW
标准包装 2,000
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 60pF @ 10V
RoHS指令 Contains lead / RoHS non-compliant

BS170RLRA系列产品

BS170RLRA也可以通过以下分类找到

BS170RLRA相关搜索

订购BS170RLRA.产品描述:MOSFET 60V 500mA N-Channel. 生产商: ON Semiconductor.芯天下有低价

咨询QQ

综合类:

热线电话

  • 北京
  • 010-62155488
    010-57196138
    010-82149008
    010-82149488
    010-82149921
  • 深圳
  • 0755-83975736
    0755-83997440
    0755-83247615
    0755-82511472
  • 苏州
  • 0512-67684200
    0512-68796728
    0512-67687578
    0512-67683728
  • 传真
  • 010-62178897;  0755-83995470;
  • 邮件: rfq@oneic.com